普雷斯等离子晶圆除胶机‌是一种利用等离子体技术进行表面清洗和去胶的设备，广泛应用于材料科学、电子与通信技术等领域。其主要功能是通过气体放电产生等离子体，这些高能粒子能够解离化学键、改变分子结构，从而有效去除材料表面的污染物、有机物等杂质‌。

工作原理：

普雷斯等离子去胶机通过射频电源产生高频电磁场，使气体分子电离形成等离子体。这些等离子体中含有大量高能电子、离子和自由基等活性粒子，能够与材料表面的污染物发生化学反应，将其分解成小分子并去除‌。

物理轰击：在等离子体环境中，存在着大量的高能离子和电子。这些带电粒子在电场的作用下加速，以较高的能量轰击晶圆表面的光刻胶。光刻胶分子在高能粒子的撞击下，化学键被打断，分子结构被破坏，从而使光刻胶从晶圆表面脱落。

化学反应：等离子体中还包含着各种活性自由基和化学基团。这些活性物质与光刻胶分子发生化学反应，将光刻胶分子转化为挥发性的化合物。例如，氧气等离子体中的氧自由基与光刻胶中的碳氢化合物发生反应，生成二氧化碳和水等挥发性物质，这些物质可以通过真空泵抽出反应腔，从而达到去除光刻胶的目的。

晶圆等离子处理设备优势特点：

‌干法去胶‌：整个处理过程在干燥环境下进行，处理完成后可直接进入下一道工序。

‌处理速度快‌：整个处理过程只需几秒到几十秒，具体时间根据需求及工艺决定。

‌低温处理‌：处理过程中温度较低，不会对产品本身造成损坏。

‌环保‌：相比湿式处理，等离子去胶避免了化学药剂的废弃物处理，更加环保。

‌安全无害‌：处理过程不产生污染，不会对人体造成伤害‌。

精确去除光刻胶：能够实现对晶圆表面光刻胶的高效、精确去除，不会对晶圆本身造成损伤，满足半导体制造中对高精度工艺的要求。在制造纳米级别的芯片结构时，等离子去胶可以准确地去除特定区域的光刻胶，为后续的蚀刻、沉积等工艺提供干净的晶圆表面。

提高生产效率：相比传统的湿法去胶工艺，等离子去胶具有更高的去除速度和更好的均匀性，可以大大缩短工艺时间，提高生产效率。同时，等离子去胶是一种干法工艺，不需要使用大量的化学试剂，减少了废水处理等后续环节，降低了生产成本和环境污染。

改善表面质量：等离子去胶过程中，由于高能粒子的轰击和化学反应的作用，不仅可以去除光刻胶，还可以对晶圆表面进行一定程度的清洗和活化，改善晶圆表面的微观结构和化学性质，有利于后续薄膜沉积等工艺的进行，提高薄膜与晶圆表面的附着力和均匀性。

应用领域：

普雷斯等离子去胶机在多个领域有广泛应用，包括：‌半导体‌行业：用于去除硅片表面的残胶和污染物，提高芯片制造的质量和可靠性。‌光电子‌行业：用于去除光电子器件表面的有机物和杂质，确保器件性能。‌液晶显示器‌制造：用于清理液晶屏表面的残留物，提高显示效果。‌材料科学‌研究：用于去除材料表面的保护膜和污染物，便于进一步研究和应用。