IGBT是新能源汽车、光伏风电、储能、工业变频等高端装备的核心功率半导体器件，封装工艺直接决定模块的散热、绝缘、密封性能与使用寿命。随着器件向小型化、高功率化迭代，传统湿法清洗易出现残留、基材微腐蚀、清洁不彻底等问题，极易引发虚焊、分层、可靠性下降等缺陷，难以满足高端IGBT封装标准。

等离子（PLASMA）表面处理适配IGBT封装关键工序，全面提升封装良率与稳定性。

在DBC基板、铜框架贴装前，可彻底清除表面脏污，提升基材表面能，有效降低焊接空洞率与界面热阻。打造高导热、高强度焊接结构。

芯片焊盘键合前，可温和去除氧化铝钝化膜与微残留，在不损伤芯片结构的前提下活化焊盘，大幅提升键合强度，杜绝键合脱落、电阻漂移等不良问题。同时，该工艺可用于塑封活化、低温烧结界面处理、外壳密封粘接预处理，有效改善塑封分层、器件吸湿、密封漏气等量产通病。

中山普雷斯专注半导体功率器件精密表面处理，熟悉IGBT贴装、键合、塑封、烧结、密封全工序痛点。可根据工件类型、产品规格及产线模式。同时可提供定制化工艺调试，精准优化气体配比、处理功率与时间，针对性解决虚焊空洞、键合失效、塑封分层、密封渗漏等量产难题，全面适配中高端IGBT标准化、高品质量产要求。

相比传统湿法工艺，等离子（PLASMA）精密处理具备显著的技术与生产优势。干式清洁可去除99.8%以上有机杂质，无化学残留、无基材腐蚀，有效提升产品良品率。凭借优良的气体绕射性，可深入0.05mm微孔、狭缝等传统工艺盲区，实现工件全域无死角清洁活化。同时工艺绿色环保，无需化学药水，省去水洗、烘干、废液处理等工序，大幅降低生产与环保成本。且参数可精准固化，批次稳定性强，兼容性高，可无缝对接自动化产线，适配IGBT大批量标准化量产。

当前功率半导体行业迭代提速，IGBT模块正向高功率密度、小型化、长寿命、高耐候性方向升级，精密封装工艺已成为企业核心竞争力。依托等离子（PLASMA）精密处理技术，搭配中山普雷斯定制化设备与工艺方案，可从源头规避封装缺陷，助力半导体企业突破工艺瓶颈，实现产品品质升级与量产提质增效，推动国内功率半导体封装向高精度、高可靠、绿色化方向发展。